HY050N08P دیتاشیت

HY050N08P

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت HY050N08P
حجم فایل 57.937 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

مشاهده دیتاشیت HY050N08P

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: HUAYI HY050N08P
  • Power Dissipation (Pd): 166W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 85V
  • Continuous Drain Current (Id): 105A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 5.5mΩ@10V,40A
  • Package: TO-220F-3
  • Manufacturer: HUAYI

محصولات مشابه